IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPD90P04P4L04ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $1,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +175 C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)

Fiches techniques et ressources

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