IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD35N10S3L26ATMA2 제조: Infineon 및 IPD90P04P4L04ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $1.22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +175 C |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| 핀 수 | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| 핀 수 | — | 3 (2 + Tab) |