IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon e IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,05 | $1,22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Contagem de pinos | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Número de pinos | — | 3 (2 + Tab) |