IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R145CFD7ATMA1 par Infineon et IPD60R385CPATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R145CFD7ATMA1 | IPD60R385CPATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,42 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | CoolMOS CFD7 (superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 145 mOhm | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) surface mount | — |
| Body Diode | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) | — |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Type de montage | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ CP (5th generation) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | ZVS / LLC resonant converters, soft switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 9 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 83 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK) |