IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R145CFD7ATMA1 par Infineon et IPL60R060CFD7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R145CFD7ATMA1 | IPL60R060CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $4,03 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS CFD7 (superjunction) | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 145 mOhm | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) surface mount | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) |
| Body Diode | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) | — |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Type de montage | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ CFD7 |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Target Application | ZVS / LLC resonant converters, soft switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 219 W |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | — | 60 mΩ |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | — | 48 mΩ |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | — | 79 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 3193 pF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 62 pF |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 4.5 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 °C to +150 °C |