IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPL60R060CFD7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R145CFD7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $4.03
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
패키지 TO-252AA (DPAK) surface mount PG-VSON-4-1 (Surface Mount)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
실장 유형 Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CFD7
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
동작 온도 범위 — -40 °C to +150 °C

데이터시트 & 자료

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