IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R210PFD7SAUMA1 par Infineon et IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A 12 A
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
Type de montage Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max @ ID = 190 µA
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Boîtier — PG-TO252-3 (DPAK)
Niveau MSL — 1
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Statut RoHS — Compliant
Integrated ESD Protection — Yes

Fiches techniques et ressources

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