IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R210PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPD60R280P7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon

IPD60R210PFD7SAUMA1 ✓ 生産中
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IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A 12 A
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
実装タイプ Surface Mount (SMT) Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max @ ID = 190 µA
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
パッケージ — PG-TO252-3 (DPAK)
MSLレベル — 1
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
RoHS ステータス — Compliant
Integrated ESD Protection — Yes

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