IPD60R360P7SAUMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R360P7SAUMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R360P7SAUMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 9 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 41 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.0 V to 4.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Boîtier | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |