IPD60R360P7SAUMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD60R360P7SAUMA1 제조: Infineon 및 IPD65R380E6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD60R360P7SAUMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.65 | $0.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 9 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 41 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.0 V to 4.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| 패키지 | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |