IPD60R380C6ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R380C6ATMA1 par Infineon et IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R380C6ATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $0,48
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 4 V max @ ID = 190 µA
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C -40 °C to +150 °C
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
FET Type N-Channel —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Integrated ESD Protection — Yes

Fiches techniques et ressources

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