IPD70N10S3L12ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S3L12ATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70N10S3L12ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 11.5 mΩ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Gate, Source + tab) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100 % avalanche tested | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Energy (Single Pulse) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |