IPD70N10S3L12ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S3L12ATMA1 par Infineon et IPD082N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70N10S3L12ATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $1,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 11.5 mΩ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Gate, Source + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100 % avalanche tested | — |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Energy (Single Pulse) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Part Number | — | IPD082N10N3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |
| Lead-Free | — | Yes |