IPD70N10S3L12ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD70N10S3L12ATMA1 제조: Infineon 및 IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPD70N10S3L12ATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $1.14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 11.5 mΩ | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Drain, Gate, Source + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100 % avalanche tested | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Energy (Single Pulse) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Part Number | — | IPD082N10N3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55°C to +175°C |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |
| Lead-Free | — | Yes |