IPD78CN10NGATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD78CN10NGATMA1 par Infineon et IPD046N08N5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD78CN10NGATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 2 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm 4.6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Statut RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fiches techniques et ressources

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