IPD78CN10NGATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD78CN10NGATMA1 por Infineon e IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD78CN10NGATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 2 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm 4.6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Status RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fichas técnicas e recursos

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