IPD80R280P7ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R280P7ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R280P7ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 OptiMOS 7 Power-Transistor
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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