IPD80R600P7ATMA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et IPB60R190C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD80R600P7ATMA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $1,45 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 3.5 V (typ) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |