IPD80R600P7ATMA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon e IPB60R190C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD80R600P7ATMA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,92 | $1,45 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 3.5 V (typ) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Contagem de pinos | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |