IPD80R600P7ATMA1 vs IPB60R190C6ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPD80R600P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R190C6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPD80R600P7ATMA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.92 | $1.45 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 3.5 V (typ) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| パッケージ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| ピン数 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |