IPD90N10S406ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N10S406ATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD90N10S406ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,72 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD90N10S406ATMA1 | — |
| Family / Series | OptiMOS | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 136 W | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10 V typical Vgs) | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | 250 mJ | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature Range | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3-313 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Built-in Body Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche tested | — |
| Packaging | Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |