IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P4L04ATMA2 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P4L04ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,22 $1,05
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS-T
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
Nombre de broches — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Lead-Free — Yes

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