IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon e IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,22 | $1,05 |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Encapsulamento | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| Contagem de pinos | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Lead-Free | — | Yes |