IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L08AATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L08ATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L08AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
Température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Technology — OptiMOS-T2 (Logic Level)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 20 A (per channel)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ — 1.7 V
Gate Drive (Logic Level) — 4.5 V
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 54 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Boîtier — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
AEC-Q101 Qualification — Yes
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Rated — Yes (100% tested)
RoHS / REACH — Compliant (Green Product)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

Fiches techniques et ressources

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