IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L08AATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N04S4L08ATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N04S4L08AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.66
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
動作温度 -55°C to +175°C —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSLレベル MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Technology — OptiMOS-T2 (Logic Level)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 20 A (per channel)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ — 1.7 V
Gate Drive (Logic Level) — 4.5 V
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 54 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
パッケージ — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
AEC-Q101 Qualification — Yes
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Rated — Yes (100% tested)
RoHS / REACH — Compliant (Green Product)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

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