IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65ATMA1 par Infineon et BSC036NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S2L65ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,82 |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | N-Channel |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | 1 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |
| Statut RoHS | — | ROHS3 Compliant |