IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S2L65ATMA1 メーカー: Infineon および BSC036NE7NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S2L65ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $0.82
FET Type Dual N-Channel, Logic Level N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
動作温度範囲 -55°C to +175°C -55C to +175C
パッケージ PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
RoHS ステータス — ROHS3 Compliant

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