IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPG20N06S2L65ATMA1 von Infineon und BSC036NE7NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPG20N06S2L65ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,82
FET Type Dual N-Channel, Logic Level N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
RoHS-Status — ROHS3 Compliant

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