IPG20N06S4L14AATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S4L14AATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S4L14AATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $2,20 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N06S4L14AATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 50 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 13.7 mΩ typical | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | 14 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Logic-Level Gate Drive | Yes | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| Technology | OptiMOS™ Trench | — |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |