IPG20N06S4L14AATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S4L14AATMA1 メーカー: Infineon および IAUT300N08S5N012ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ 生産中
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IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S4L14AATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $2.20
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
パッケージ PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench —
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]

データシート&リソース

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