IPG20N10S436AATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N10S436AATMA1 par Infineon et IPD031N06L3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N10S436AATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,48
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Boîtier PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
Niveau MSL MSL1 (260 C peak reflow) 1 (Unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Series — OptiMOS 3

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