IPG20N10S436AATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPG20N10S436AATMA1 제조: Infineon 및 IPD031N06L3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPG20N10S436AATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.68 | $0.48 |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (Unlimited) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C |
| Series | — | OptiMOS 3 |