IPG20N10S436AATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N10S436AATMA1 por Infineon e IPD031N06L3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N10S436AATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,48
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
Nível MSL MSL1 (260 C peak reflow) 1 (Unlimited)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Series — OptiMOS 3

Fichas técnicas e recursos

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