IPL60R105P7AUMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R105P7AUMA1 par Infineon et BSC097N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R105P7AUMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | OptiMOS 5 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 36 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |