IPL60R105P7AUMA1 vs BSC097N06NSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon 및 BSC097N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPL60R105P7AUMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $0.38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | OptiMOS 5 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 36 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |