IPL60R105P7AUMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPL60R105P7AUMA1 от Infineon и BSC097N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPL60R105P7AUMA1 BSC097N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,82 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 OptiMOS 5
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM peak value]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C —
Корпус PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену