IPL60R180P6AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R180P6AUMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R180P6AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $0,88
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) —
Boîtier PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fiches techniques et ressources

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