IPL65R130C7AUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R130C7AUMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R130C7AUMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,79 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (V DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc=25°C) 15 A —
On-Resistance R DS(on) max 130 mΩ —
Power Dissipation (P D) 102 W —
Boîtier PG-VSON-4 PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40°C to +150°C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Rise Time (t r) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (t f) [DATA_NEEDED: fall time] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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