IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R200CFD7AUMA1 par Infineon et IPW60R037P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL65R200CFD7AUMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,52 | $3,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 14 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Boîtier | PG-VSON-4 | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Body Diode | Fast-recovery intrinsic | — |
| Gate-Source ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |