IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon et IPD70R1K4P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN70R1K4P7SATMA1 | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS P7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | 6.2 W | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Boîtier | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| DPAK Footprint Compatible | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | CoolMOS P7 (700V Superjunction) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | — | 1.4 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 23 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |