IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPN70R1K4P7SATMA1 от Infineon и IPD70R1K4P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPN70R1K4P7SATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS P7)
Корпус PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (100% avalanche tested)
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену