IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon et IPN60R2K0PFD7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN70R1K4P7SATMA1 | IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,28 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS P7 | CoolMOS PFD7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | 6.2 W | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | CoolMOS superjunction |
| Boîtier | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-SOT223-3-1 (SOT-223) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| DPAK Footprint Compatible | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per Newark listing) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 3 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 6 W |
| RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 2.0 Ohm |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.626 Ohm (per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) |