IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN70R1K4P7SATMA1 メーカー: Infineon および IPN60R2K0PFD7SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ 生産中
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IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN70R1K4P7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 CoolMOS PFD7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) CoolMOS superjunction
パッケージ PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration Single with built-in diode —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (per Newark listing)
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)

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