IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon et IPN70R2K0P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN70R1K4P7SATMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS P7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3.5 V (typical) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | 6.2 W | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Boîtier | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| DPAK Footprint Compatible | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |