IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN80R1K2P7ATMA1 par Infineon et IPD80R1K4P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Superjunction
Boîtier SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-TO252-2 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Dissipation de puissance (Ptot) — 32 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Statut RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes
Body Diode — Integrated, fast recovery

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