IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN80R1K2P7ATMA1 por Infineon e IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPN80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Superjunction
Encapsulamento SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-TO252-2 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) —
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Dissipação de potência (Ptot) — 32 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Status RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes
Body Diode — Integrated, fast recovery

Fichas técnicas e recursos

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