IPP037N08N3GXKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP037N08N3GXKSA1 par Infineon et IPW60R037P7XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP037N08N3GXKSA1 IPW60R037P7XKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $3,55
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Boîtier PG-TO220-3 (Through Hole) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (junction) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ P7
Type de transistor — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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