IPP037N08N3GXKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPP037N08N3GXKSA1 от Infineon и IPW60R037P7XKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPP037N08N3GXKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,32 | $3,55 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.75 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 6 V, 10 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 214 W | — |
| Корпус | PG-TO220-3 (Through Hole) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Тип монтажа | Through Hole | Through Hole |
| Число выводов | 3 | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |