IPP037N08N3GXKSA1 vs IPW60R037P7XKSA1 比較
詳細な並列比較: IPP037N08N3GXKSA1 メーカー: Infineon および IPW60R037P7XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPP037N08N3GXKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.32 | $3.55 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3.75 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 6 V, 10 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 214 W | — |
| パッケージ | PG-TO220-3 (Through Hole) | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| 実装タイプ | Through Hole | Through Hole |
| ピン数 | 3 | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ P7 |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |