IPP069N20NM6AKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP069N20NM6AKSA1 par Infineon et IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP069N20NM6AKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,10 $1,92
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Boîtier PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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